柔性線路板廠了解到，近日，三星、SK海力士等DRAM廠商爭(zhēng)相爆出有關(guān)第五代1bDRAM的最新研發(fā)進(jìn)展，新一代產(chǎn)品在數(shù)據(jù)處理速度、功耗、耗電量等方面都有了顯著提升，在移動(dòng)設(shè)備、智能車輛、數(shù)據(jù)中心以及人工智能等領(lǐng)域的應(yīng)用將更加廣泛。

  英特爾、英偉達(dá)、AMD等廠商開(kāi)始了新一輪的訂購(gòu)，存儲(chǔ)廠商也將1bDRAM視為改善業(yè)績(jī)的關(guān)鍵產(chǎn)品。同時(shí)，存儲(chǔ)廠商開(kāi)始了對(duì)下一代工藝節(jié)點(diǎn)1c的研發(fā)。有消息說(shuō)，三星將跳過(guò)1bDRAM，直接研發(fā)1cDRAM。面向當(dāng)前的1b競(jìng)爭(zhēng)與未來(lái)的1c競(jìng)爭(zhēng)，存儲(chǔ)廠商已經(jīng)開(kāi)始暗中較勁。

1bDRAM研發(fā)如火如荼

  一直以來(lái)，各大內(nèi)存廠商將上一代DRAM芯片按照1X、1Y、1Z進(jìn)行工藝區(qū)分，1Xnm工藝相當(dāng)于16-19nm制程工藝、1Ynm相當(dāng)于14-16nm制程工藝，1Znm工藝相當(dāng)于12-14nm制程工藝。而新一代的1a、1b和1c則分別代表14-12nm、12-10nm以及10nm及以下制程工藝。

各大DRAM企業(yè)的研發(fā)進(jìn)展圖

  SK海力士重點(diǎn)發(fā)力存儲(chǔ)產(chǎn)品的運(yùn)行速度。據(jù)悉，SK海力士已開(kāi)始與英特爾一起驗(yàn)證其最新的Gen 5(1b)10nm服務(wù)器DDR5 DRAM，后續(xù)可與英特爾至強(qiáng)可擴(kuò)展平臺(tái)服務(wù)器處理器搭配使用。

  三星則一如既往強(qiáng)調(diào)研發(fā)和技術(shù)領(lǐng)先性，宣布其采用12納米級(jí)工藝技術(shù)的16Gb DDR5 DRAM已開(kāi)始量產(chǎn)，并在最近與AMD完成了兼容性測(cè)試。三星表示，這款產(chǎn)品是業(yè)界最先進(jìn)的高性能且低能耗的DDR5 DRAM。

  FPC廠了解到，存儲(chǔ)三巨頭中，美光在1bDRAM的推出時(shí)間上占得先機(jī)，已經(jīng)向智能手機(jī)制造商和芯片組的合作伙伴運(yùn)送樣品，還將在LPDDR5X內(nèi)存上采用新的工藝技術(shù)，提供最高8.5Gbps速率。

1cDRAM成為下半場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)關(guān)鍵

  雖然1b相比1a工藝在密度、性能、能效方面都有一定提升，但相比下一代工藝1c仍存在局限性。相較于1a工藝節(jié)點(diǎn)，1b工藝節(jié)點(diǎn)的提升主要體現(xiàn)在功耗和性能方面。1bDRAM能夠提供更低的功耗和更高的性能，同時(shí)也能夠更好地適應(yīng)新一代處理器的需求。然而，1bDRAM與1cDRAM相比，還存在一定的局限性，無(wú)法支持更高的容量和更快的速度。

  因此，業(yè)界認(rèn)為1c工藝是DRAM接下來(lái)的競(jìng)爭(zhēng)關(guān)鍵。據(jù)悉，1bDRAM產(chǎn)品主要受存儲(chǔ)市場(chǎng)萎靡影響，市場(chǎng)空間相對(duì)有限。預(yù)計(jì)存儲(chǔ)市場(chǎng)在2023年底或2024年上半年開(kāi)始反彈，按照DRAM市場(chǎng)技術(shù)迭代速度，市場(chǎng)復(fù)蘇剛好迎來(lái)1cDRAM產(chǎn)品推出時(shí)間，所以1cDRAM產(chǎn)品成為市場(chǎng)復(fù)蘇后各家競(jìng)爭(zhēng)關(guān)鍵。

  軟板廠了解到，目前來(lái)看，三星、SK海力士和美光都有在1cDRAM份額爭(zhēng)奪戰(zhàn)中拔得頭籌的機(jī)會(huì)。三星在研發(fā)方面一直處于領(lǐng)先地位，SK海力士具有強(qiáng)大的生產(chǎn)能力和技術(shù)實(shí)力，而美光則具有獨(dú)特的技術(shù)和設(shè)計(jì)優(yōu)勢(shì)，產(chǎn)品迭代形成產(chǎn)品穩(wěn)定性。目前三家的研發(fā)進(jìn)度都比較接近，未來(lái)的走勢(shì)還需要時(shí)間和機(jī)遇的檢驗(yàn)。